SKiiP IPM產品系列為高性能和穩健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結合靈活的冷卻選項，如風冷和水冷卻或定制的散熱器。可靠的驅動技術、集成的電流傳感器和全面的保護功能完善了IPM的設計。SKiiP 3在工業驅動領域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓撲結構，它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。SKIIP智能功率模塊IGBT西門康驅動器半導體

得益于銀燒結和高性能冷卻器技術，SKiiP提高了對苛刻的電源循環條件的可靠性。與傳統的焊接方法相比，燒結技術延長了工作壽命，提高了對主動和被動熱循環的彈性。SKiiP 4數字驅動器降低了設計復雜性也減少了昂貴元件的使用，它保證了開關信號和參數測量的安全隔離。除了高可靠性設計，SKiiP 4驅動器還包括CAN-bus功能。西門康SEMIKRON賽米控SKiiP IPM系列IGBT

IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級別為600V至1800V。可用于各種應用，并采用多項關鍵技術，提供不同的拓撲結構，如CIB、半橋、H橋、三相全橋和三電平等。西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導體模塊

IGBT動態特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。靜態特性有伏安特性、轉移特性和開關特。6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現貨