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                艾賽斯模塊的可靠性測試究竟有什么意義?

                更新時(shí)間:2022-11-14點(diǎn)擊次數(shù):723
                   艾賽斯模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。
                  艾賽斯模塊的可靠性測試是在其生產(chǎn)中不可少的一個(gè)環(huán)節(jié),為何這么說呢?
                  艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
                  若在柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。與MOSFET一樣,艾賽斯模塊也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓,只有在ua 級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
                  作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經(jīng)廣泛用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面,如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備,以及用于自動控制的變頻器。該模塊的可靠性測試可以篩選出合格產(chǎn)品,利于廠商改進(jìn)工藝條件。
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